Cu-Ti Hybrid Etchant

HBE-500

Product : HBE-500

WLCSP용 Sputtered Cu & Ti Layer를 동시에 균일하게 제거할 수 있는 친환경 Hybrid Wet Etchant

항목 내용
제품 성능 친환경 Chemical (F-free)
Metal Damage Free (SnAg, Ni, Au, Al 등)
기존 Cu, Ti 개별 에칭 기술과 동등 수준의 미세 정밀 패턴 구현 가능
우수한 Process capacity
제품 형태 1액형 or 2액형 적용 가능
적용 분야 WLCSP, MEMS 공정 등
미니백이 이미지

Process

기존공정
기존공정 이미지

Hybrid 공정

하이브리드 공정 이미지

Process

기존공정
Cu seed Thk. : 100~500nm
Ti seed Thk. : 50~150nm
기존공정 이미지

Hybrid 공정

하이브리드 공정 이미지

Line Side Loss (Plated Cu Pattern)

Before Etcht Just Etch 100% Over Etch 200% Over Etch
Top View Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지
Top View Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지
26.2㎛ 26.2㎛ 25.3㎛ (-3.4%) 24.5㎛ (-6.5%)

Process Capacity

TEST 매수 처리 평가
PTW (RDL) 1 Sheet 100 Sheet 150 Sheet 200 Sheet 250 Sheet
E/R (nm/sec) 2.3 2.3 2.2 2.2 2.2
Undercut (nm) 373.9 254.4 185.0 - -

Processing capacity 별 E/R 및 Undercut

그래프 이미지 그래프 이미지
1 Sheet 100 Sheet 150 Sheet 200 Sheet 250 Sheet
Surface Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지
Undercut
(nm)
Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지 Cu-Ti Layer Undercut 표 이미지
373.9 254.4 185.0 - 100% Over etch