HCE-300
Product : HCE-300
WLCSP용 Sputtered Cu Layer Etch Chemical
두께범위
(Thk. : 100~500nm)
친환경(F-free)
공정 적용
Metal Damage Free
(SnAg, Ni, Au, Al, Ti, Ti-W)
타사 대비
미세 정밀 패턴 구현 가능
우수한
Process capacity
| 제품명 | 평가 항목 | Plated SnAg Bump | Cu Pillar Bump | WLCSP RDL |
|---|---|---|---|---|
| 타사 제품 | E/R (nm/sec) | 3 | 3 | 3 |
| Undercut (nm) (O/E : 200%) |
327.9 | 772.0 | 373.6 | |
| HCE-300 | E/R (nm/sec) | 4.5 | 4.5 | 4.5 |
| Undercut (nm) (O/E : 200%) |
224.6 (-31.5%) | 373.6 (-51.6%) | 145.3 (-61%) |
| Plated SnAg Bump | Cu Pillar Bump | WLCSP RDL | |
|---|---|---|---|
| Wafer |  |
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| 타사 제품 Undercut |
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| 327.9 nm | 772.0 nm | 373.6 nm | |
| HCE-300 Undercut |
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| 224.6 nm | 373.6 nm | 145.3 nm |
시료 종류 별 E/R 및 Undercut 비교
