염소산 소개
에칭 가속화 성분, 착화제 성분 포함으로 빠르고 안정적인 에칭 진행이 가능한 염소산 산화제 안정적으로 산화제 농도를 유지하며 ORP 값 유지 가능
| 항목 | 내용 |
|---|---|
| 적용공정 | Pattern, 동(Cu) 에칭 공정 (CuCl₂ 염화동 에칭액) |
| 제품 형태 | 액상 첨가제 |
| 적용 라인 | Tenting 공정 HDI, Package, MLB, FPC, RF-PCB |
| 성분 | 역할 |
|---|---|
| Sodium Chlorate (NaClO₃) | 에칭액의 산화력 유지 및 재생제 역할 |
| Hydrogen Peroxide (H₂O₂) |
염소산 평가 결과
Etching Speed Comparison (vs. H₂O₂)
염산 값이 동일 할 때 NaClO3 염소산은 과수타입보다 더 빠른 Etching Speed 를 확보
Etching Condition
| SG : 1.270 ~ 1.280 | Pressure : 1.25~1.30 kgf/㎠ | Temp : 48 ~ 49℃ | Specimen : L/S=75/75㎛ (1 oz. =35㎛) |
| HCL Conc. (N) |
Etch Rate Vs Oxidizer |
SEEP UP (%) | |
|---|---|---|---|
| H₂O₂ | NaClO₃ | ||
| 1.5 | 0.57 | 0.71 | 24 |
| 2.0 | 0.63 | 0.82 | 30 |
| 2.5 | 0.72 | 0.86 | 20 |
| 3.0 | 0.76 | 0.93 | 20 |
| 3.5 | 0.86 | 0.95 | 10 |
H₂O₂ Type vs NaClO₃ 산화제 Etching Speed
| 구분 | H2O2 | NACLO3 | H₂O₂ | NACLO₃ |
|---|---|---|---|---|
| #1 | #2 | |||
 |
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 |
|
| S.G | 1.270 | 1.270 | 1.275 | 1.275 |
| HCL | 2.5N | 1.5N | 3.5N | 2.5N |
| ORP | 560 ~ 650 mV | 560 ~ 580 mV | 560 ~ 600 mV | 560 ~ 600 mV |
| Etching Depth | 21.55 ㎛ | 21.26 ㎛ | 25.86 ㎛ | 25.86 ㎛ |
| E/R | 0.72 ㎛/sec | 0.71 ㎛/sec | 0.86 ㎛/sec | 0.86 ㎛/sec |
